首创高储存NAND闪存芯片,我自主成功研发

[vc_row][vc_column][vc_column_text]紫光集团麾下长江存储日前对外宣称已成功研制型号为X2-6070的128层QLC 3D NAND闪存芯片,并经多家控制器SSD厂商在终端存储产品上通过验证。它是我国乃至全球首款128层QLC规格的3D NAND闪存芯片。
产地证了解,X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速率和最大单颗NAND闪存芯片存储量。一并发布的还有128层512Gb TLC(3 bit/cell)规格闪存芯片(型号:X2-9060),以满足不同需求的应用场合。
长江存储环球产地证市场销售高级副总裁龚翊表示:“作为闪存行业的新晋,长江存储在三年的短时间内跨越了32层到64层再到128层。既凝聚了数千长存人的心血,也是全球产业链上下通力协作的成果。随着Xtacking 2.0时代的到来,长江存储有信心、有实力、有能力开创一个全新的商业生态,让我们的合作伙伴能够充分发挥他们自身优势,从而达到互利共赢。”
3D NAND控制电路和存储单元获益于Xtacking架构的改进,在I/O性能、存储密度以及可靠性方面,在64层TLC产品上长江存储的都有着不俗的表现。
长江存储杰凯睿产地证介绍,在一系列128层的芯片中,2018年8月发布的Xtacking架构已经全新提升到2.0,进一步激发3D NAND闪存潜能。在I/O读写性能方面,X2-6070及X2-9060都能在1.2V Vccq电压下实现1.6Gbps的数据传输速率,是当前业界中最高的。由于外围电路和存储单元分别采取独特的制造工艺,CMOS电路可选用更先进的制程,在不用增加芯片面积的同时,Xtacking 2.0还可以带给3D NAND更优异的扩展性。
龚翊重申:“我们坚信,长江存储128层系列产品能给出口许可证合作伙伴带来更多的价值,能拥有更广阔的应用市场。其中,128层QLC 版本会率先用在消费级SSD,并逐步推广到企业级服务器、数据中心等领域,以满足将来5G、AI时代多元化数据存储的需求。”
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