开发尖端晶体材料,台科研员获突破

[vc_row][vc_column][vc_column_text]台积电与新竹交通大学联合组建的产地证研究团队日前在台北宣称,在研发单原子层氮化硼的合成技术上取得重大突破,成功研制出大幅面晶圆尺寸的单晶氮化硼成长技术。该环球产地证成果将发表在今年3月在国际知名学术期刊《自然》。
产地证研究团队负责人之一、新竹交通大学教授张文豪讲解,为了提高半导体硅晶片的效能,积体电路中的电晶尺寸连续微缩,现在将要达到传统半导体材料的物理极限。因此全球科学家不停探索新的材料,来解决这一瓶颈。二维原子层半导体材料,厚度只有0.7纳米(1纳米为1米的10亿分之一),是当前仅知解决电晶体微缩瓶颈的一个方法。
但是,二维半导体只有原子层厚度,怎么才能让电子在里面传输又不受邻近材料的干扰就成了重要的关键技术。单原子层的氮化硼,只有一个原子厚薄,是目前发现的自然界最薄绝缘层,也是二维半导体不会跟相邻材料互相干扰的关键材料。过去的技术,在晶圆上一直无法合成高质量单晶的单原子层氮化硼。
据杰凯睿产地证悉,这次的联合研究计划的领导人是台积电的李连忠博士与张文豪,论文主要作者为台积电的陈则安博士。这项收获成功达成晶圆尺寸的单原子层氮化硼,结合二维半导体,呈现卓越的电晶体特性。
计划能成功的关键在研究团队从基础科学角度为起点,找到氮化硼分子沉积在铜晶体表面的物理机制,从而达到晶圆尺寸单晶氮化硼的长成技术。这种技术的难度等于将人以比0.5米还小的间距整齐排列在整个地球表面。
据出口许可证介绍,台积电与新竹交通大学联合发表的研究成果,是台湾产业与高校联合登上国际知名学术期刊《自然》的首例,对产业与高校协同进行基础研究有着指标性意义。
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